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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

FDC6401N 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin SuperSOT T/R

内部编号

3-FDC6401N

#1

数量:13960
3000+¥1.193
最小起订量:3000
英国伦敦
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#2

数量:120252
1+¥1.8492
25+¥1.6951
100+¥1.618
500+¥1.541
1000+¥1.464
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新加坡
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#3

数量:1460
20+¥2.128
40+¥1.7385
100+¥1.7005
200+¥1.6435
400+¥1.6245
最小起订量:20
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FDC6401N产品详细规格

规格书 FDC6401N datasheet 规格书
FDC6401N datasheet 规格书
FDC6401N datasheet 规格书
文档 Mold Compound 08/April/2008
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 2 N-Channel (Dual)
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 3A
Rds(最大)@ ID,VGS 70 mOhm @ 3A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 4.6nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 324pF @ 10V
功率 - 最大 700mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装 6-SSOT
包装材料 Tape & Reel (TR)
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